株式会社村田制作所(以下简称“本公司”)已将面向下一代功率半导体之一的GaN(1)器件门驱动器的绝缘DC-DC转换器“MGN1系列”(以下简称“本产品”)商品化。现已开始量产。
近年来,在需要快速充电的电动汽车(EV)充电站等场所,能够承受高电压且功率损耗低的下一代功率半导体已开始普及。即使在下一代功率半导体当中,GaN也因具有能够以高频率进行开关操作的特点,所以特别需要能够承受因开关动作而产生的电压波动和高电压的绝缘DC-DC转换器。
因此,本公司开发了具有以下特点的产品。
此外,由于本产品是薄型设计,因此可以在有限的空间内安装。
尺寸(L × W × T) | 14.50mm × 12.00mm × 4.21mm |
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输出电压 | +8V, +12V & +6V/-3V |
绝缘电容 | 2.5pF |
共模瞬态耐电压(CMTI) | >200kV/µS |
绝缘耐电压(功能绝缘) | 1.1kV |
工作温度范围 | -40°C~+105°C |