我们已经知道,电容器是用来“装”电的“容器”。
但或许你不知道,最开始时,这个“装”电的“容器”真的是个瓶子!
这个瓶子被称为——莱顿瓶。
它是1746年在莱顿城发明的,美国的本杰明.富兰克林还用莱顿瓶“装”到风筝从“天”上引下来的“电”。
它是一个瓶里瓶外分别贴有锡箔的玻璃瓶,瓶里的锡箔通过金属链跟金属棒连接,棒的上端是一个金属球。
后来人们发现:
只要两个金属板中间隔一层绝缘体就可以做成电容器装电,并不需要做成瓶子那样的结构。
最简单的电容器——平板电容器
很明显,莱顿瓶就是一个以瓶子玻璃为电介质,锡箔为电极的电容器,全部电荷是由玻璃本身储存着的。
在平板电容器结构中,电容器装电的能力与电介质材料类型、介质厚度和电极正对面积有关。
可是看出:
电介质介电常数越大,电容器容量越大;
正对电极面积越大,电容器容量越大;
电介质厚度越薄,电容器容量越大;
电介质及高介电常数材料的寻找
自然界中的云母片首先被利用起来
但云母介电常数太低了,约为 6 ~ 7 ,能做到的容量很低,几乎都是“pF”级别。
后来是二氧化钛TiO2被大规模用于电容器制造
二氧化钛的介电常数较高,约100左右,电容器的容量可以做到“nF”级别了。
强介电材料BaTiO3的发现和使用
1942年由美国、前苏联学者发现。
BaTi03具独特的ABO3型钙钛矿结构:
随着温度的变化,BaTIO3有一系列的相变过程,其单晶介电常数与温度引起的相变密切相关。
BaTIO3单晶介电常数大小与晶体轴方向有很大关系。
在室温时,它有很强的压电铁电性,并表现出较强各向异性。
当温度高于120℃时,BaTIO3晶体属于立方晶系,压电铁电性能消失。 120℃称为居里温度。
在BaTIO3多晶体或陶瓷中,因晶胞主轴取向不同,其介电常数与温度的关系与单晶体的不同。
BaTIO3陶瓷介电常数很高,尤其是在120℃时,介电常数可高达10000。
使用BaTIO3陶瓷介质材料制作电容器,可以做到“μF”级!
但纯BaTIO3陶瓷制作的电容器,其容量温度特性曲线变化很大,不能满足EIA X7R特性要求。
X7R:-55℃~+125℃温度范围内,容量变化率不超过±15%。
BaTiO3的掺杂改性
人们研究发现,向BaTiO3中掺入某些元素,其温度曲线会被展平,展宽,温度稳定性更好。 通过控制掺杂的成份比例,可获得符合X7R特性要求的电介质材料。
电容器的制造开始进入BaTiO3时代,人们大量使用BaTiO3掺杂改性,制造圆片电容器。
到了80年代,美国人用多层片式结构设计制造电容器——MLCC,可以很小的体积获得很大的电容量。
BaTiO3的应用让X7R MLCC成为量最大的系列产品。
在MLCC应用方面,各大MLCC厂家均对钛酸钡制备及掺杂改性做了大量的研究工作,形成各自独特的符合X7R特性要求的陶瓷介质材料。
所以,可以从容量温度曲线TCC曲线识别MLCC的生产厂家。 (TCC:Temperature Capacitance Characteristic)
TCC曲线与钛酸钡制备控制工艺、掺杂改性配方及烧成工艺均有关。
细小、均匀及结构完整的晶粒,不但具有高的介电常数、低的介电损耗、高的耐电压强度,而且介电温度特性能更宽平。
晶粒大小对TCC曲线的影响
掺杂配方的影响
以BaTiO3为基,通过微量掺杂,掺入稀土元素如Y、La等,碱土元素Ca、Mg等,过渡金属元素Ni、Cr等可得到介电特性不同的陶瓷介质材料。
高介电常数和高温度稳定性,两者犹如鱼与熊掌不可兼得。使用高介电常数介质材料设计制造MLCC,单位电容量成本更低。应根据实际环境温度要求,在不同特性的MLCC选择符合要求的品种。
选购超大容量X7R MLCC时,别让X5R“忽悠”了!
超大容量MLCC一般是额定电压低,静电容量高,接近毫法(mF)级。
早年以银钯金属为内电极在制作大容量MLCC时,易出现分层问题,且成本很高,所以当下大容量MLCC均使用贱金属镍(Ni)作内电极与钛酸钡陶瓷匹配制作。
MLCC芯片高温烧结时,即使在还原气氛(N2/H2)下,易于氧化的镍(Ni)仍然有相当数量被氧化,扩散进入钛酸钡陶瓷晶粒中。
镍(Ni)对钛酸钡陶瓷影响主要体现在“移峰”作用。
对低压高容MLCC,因使用薄介质(薄至1μm),镍(Ni)氧化扩散很容易完全渗透陶瓷介质体,对TCC影响很大,高温时(85~125℃),容量下降很大,超过±15%的范围。
所以低压高容MLCC 一般只能满足X5R特性,不能满足X7R特性。
极个别世界领先的MLCC厂家,如太阳诱电、TDK,在钛酸钡制备、掺杂改性和还原烧结控制上等方面做了高技术控制,能在X7R低压高容MLCC上取得技术垄断。
标称容量超出上表所列示的,通常是X5R或X7S特性的产品。
超高容X7R-MLCC绝对是“千锤百炼”出来的高技术产品,是MLCC技术金字塔顶上的明珠。